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MEMS

  上海先进拥有超过10年的MEMS加工经验,具备外延、深槽刻蚀和双面光刻工艺能力,可以满足3轴陀螺仪、流量传感器、压力传感器及光学MEMS等代工要求。

 

 

双面光刻工艺

 

掩膜版和硅片衬底
硅片尺寸:25mm-150mm
最大硅片尺寸:150mm×150mm
硅片厚度:最厚10mm
掩膜版尺寸:175mm×175mm

 

对准方式
正面对准(TSA):精度≤2μm
背面对准(BSA):精度≤4μm
键合对准精度:5μm

 

曝光模式
接触式:软接触、硬接触、真空接触
接近式:曝光间距1-300mm
间距设置精度:1μm

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